Samsung inazalisha kwa wingi simu ndogo zaidi ya tasnia ya DDR5 DRAM, kampuni ilitangaza Jumanne.
EUV DDR5 DRAM ya 14nm mpya ina nanomita 14 pekee na ina safu tano za teknolojia ya mionzi ya jua kali (EUV). Inaweza kufikia kasi ya hadi gigabiti 7.2 kwa sekunde, ambayo ni zaidi ya mara mbili ya kasi ya DDR4. Samsung pia inadai teknolojia yake mpya ya EUV inaipa DDR5 DRAM msongamano wa juu zaidi, huku ikiongeza tija kwa 20% na kupunguza matumizi ya nishati kwa 20%.
EUV inazidi kuwa muhimu kadri DRAM inavyozidi kupungua ukubwa. Inasaidia kuboresha usahihi wa muundo, ambao unahitajika kwa utendakazi wa juu na mavuno makubwa, Samsung ilisema. Uboreshaji mdogo sana wa 14nm DDR5 DRAM haukuwezekana kabla ya kutumia mbinu ya kawaida ya kutengeneza floridi ya argon (ArF), na kampuni inatumai teknolojia yake mpya itasaidia kushughulikia hitaji la utendakazi zaidi na uwezo katika nyanja kama vile 5G na akili bandia.
Kuendelea mbele, Samsung ilisema inataka kuunda chipu ya 24Gb 14nm DRAM ili kusaidia kukidhi mahitaji ya mifumo ya kimataifa ya TEHAMA. Pia inapanga kupanua jalada lake la 14nm DDR5 ili kusaidia vituo vya data, kompyuta kuu na programu za seva za biashara.
